[新闻][转贴]英特尔65纳米芯片明年投产 摩尔定律再生效

lucifer1111

据悉，Intel公司将尝试通过改进的“应变硅”技术、阻止电流外泄的晶体管以及其他措施来进一步降低下一代芯片产品的功耗。

　　据Intel处理器集成与架构主管马克-波尔透露，从05年开始，Intel将在其65纳米制程工艺中实施一系列改进措施；目前试验性的SRAM芯片已经正在采用这种工艺模式。基于65纳米制程的电路可以根据芯片设计者的意图制造成高性能型，低功耗型或是两者兼顾，不过Intel则着重在节能上下工夫。

　　改进型的应变硅技术首次出现在Intel 90纳米制程的芯片上，它能比非应变硅技术制造的处理器带来30%的性能提升或者四倍的漏电流避免能力。“有了应变硅，Intel至少领先了一个时代”，波尔说，“而增强型的应变硅能够用于提高驱动性能或减少漏电流。”不过，作为竞争对手的IBM和AMD也正在其产品中使用应变硅技术。

　　晶体管体积和部件的缩小是摩尔定律的核心内容。更小的晶体管通常能带来更高的执行速度（电子经过的距离变小）并使芯片更加小巧，廉价，优质和节能。例如Intel的试验性SRAM芯片中，一千万个晶体管还不够原子笔尖大。然而在摩尔定律问世30年后，芯片内晶体管的密度已经日趋极限，并且带来难以设计，成本高昂，发布延期，尤其是严重的发热问题。“当我们有办法把体积降下来时，更多的问题也就接踵而至了”，波尔如是说。最后他还透露，第一款基于65纳米制程的芯片将在2005年迟些时候面世，首先是在俄勒冈州的工厂投产，随后扩展到亚利桑那州工厂和爱尔兰工厂。他还表示，由90纳米向65纳米的过渡不会像从130纳米向90纳米过渡时那样冗繁，因为当时后者对底层的硅排列进行了更多的改进。

作者：太平洋新闻中心 Inuki


ps：伟大的摩尔啊~~~~~~~~``